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ISA1989AU1 参数 Datasheet PDF下载

ISA1989AU1图片预览
型号: ISA1989AU1
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内容描述: 小信号晶体管 [SMALL-SIGNAL TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 135 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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\u003c小信号晶体管\u003e
ISA1989AU1
低频AMPLIFY应用
PNP硅外延型(超超迷你型)
描述
ISA1989AU1是密封的超超级迷你封装树脂
PNP硅外延晶体管,
它是专为低频电压的应用。
.
0.5
0.3
0.4
1.6
0.8
0.4
外形绘图
Unit:�½��½�
1.6
1.0
特征
●小集电极到发射极饱和电压。
VCE (SAT) = - 0.3V最大值( @我
C
= -30mA ,我
B
=-1.5mA)
●直流正向增益优秀的线性度。
0.7
●超小型封装,易于安装
0.5
0.55
应用
对于混合集成电路,小型机器的低频电压
扩大应用。
JEITA:SC-75A
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
最大额定值
(Ta=25℃)
符号
.
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
评级
-50
-50
-6
-100
150
+150
-55�½�+150
单位
V
V
V
mA
mW
0�½�0.1
记号
.
TR
P
c
T
j
T
英镑
电气特性
(Ta=25℃)
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
正向直流电流增益
C至ê饱和Vlotage
增益带宽积
集电极输出电容
符号
V( BR )
首席执行官
I
CBO
I
EBO
的hFE
的hFE
VCE ( SAT )
fT
COB
I
C
= -100μA ,R
V
V
V
V
CB
EB
测试条件
BE
范围
-50
-
-
120
70
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
200
2.5
最大
-
-0.5
-0.5
560
-
-0.3
-
-
0.15
单位
V
μA
μA
=∞
= -50V ,我
E
=0mA
= -4V ,我
C
=0mA
= -6V ,我
C
=-1mA
= -6V ,我
C
=-0.1mA
= -6V ,我
E
=10mA
= -6V ,我
E
=0,f=1MHz
CE
CE
I
C
= -30mA ,我
B
=-1.5mA
V
V
CE
CE
V
兆赫
pF
※ )它显示在下面的表的hFE分类。
项目的hFE
Q
120�½�270
R
180�½�390
S
270�½�560
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