\u003c晶体管\u003e
ISA2191AT2
低频AMPLIFY应用
PNP硅外延型
描述
ISA2191AT2是一个超级迷你封装树脂密封PNP硅外延
晶体管，它是专为低频应用。
既然是超薄扁平引线式封装，高密度
安装是可能的。
1.21±0.1
0.79±0.1
0.25±0.02
③
JEITA ： -
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
J
I
H
F
G
外形绘图
Unit：�½��½�
1.21±0.1
0.4
0.8
0.4
特征
●超薄扁平引线型封装。 t = 0时。 5毫米
●优秀的正向直流电流增益线性。
•低集电极到发射极饱和电压
①
②
应用
对于混合集成电路，小型机器的低频电压放大
应用
0.5±0.03
最大额定值（Ta = 25℃）
符号
VCBO
VEBO
V
首席执行官
IC
PC
Tj
TSTG
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
评级
-60
-6
-50
-150
125
（※）
125
-55�½�125
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
A
谏早： T- USM
端子连接器
记号
缩写类
项目的hFE
７
B
C
D
Ｆ
E
安装在9 ×19 × 1毫米玻璃环氧基板※包。
A�½�F running No.
G�½�J
制造个月
電気的特性
（Ta=25℃）
参数
集电极到发射极击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
正向直流电流增益
C至ê
饱和电压
符号
V（ BR ）
首席执行官
I
CBO
IEBO
的hFE *
的hFE
VCE （ SAT ）
fT
COB
I
C
= -100μA ，R
V
V
V
V
CB
EB
测试条件
民
BE
范围
民
-
-
-
-
-
-
200
3.0
民
-
-0.1
-0.1
500
-
-0.3
-
-
0.11±0.02
VCE （SAT） = - 0.3V最大值（ @ IC = -100mA / IB = -10mA ）
单位
V
μA
μA
-
-
V
兆赫
pF
=∞
-50
-
-
150
90
-
-
-
= -60V ，我
E
=0mA
= -6V ，我
C
=0mA
= -6V ，我
C
=-1mA
= -6V ，我
C
=-100μA
CE
CE
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
V
V
CE
增益带宽积
集电极输出电容
= -6V ，我
E
=10mA
= -6V ，我
E
= 0A ， F = 1MHz的
CB
※它显示在下面的表的hFE分类
项
的hFE
E
150�½�300
F
250�½�500
谏早电子股份有限公司
ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
