\u003c小信号晶体管\u003e
ISB1035AS1
低频POWOR AMPLIFY应用
PNP硅外延型
描述
ISB1035AS1是树脂密封PNP硅外延型
晶体管。它是专为低频功率扩增
应用程序。
辅以ISD1447AS1 。
3.0
外形绘图
4.0
Unit：½½
特征
●高集电极电流。我
CM
= 1.5A
●高增益带宽产品。 FT = 100MHz的典型值
●高collecot消散。 PC = 600mW的
●优良的直流线性度正向电流增益。
14.0
13.0MIN
1.0
1.0
0.1
0.45
2.5
2.5
应用
收音机，录音机，小型音响等
低频功率放大电路，用2〜 3.5W输出。
JEITA ：
JEDEC ：
2.5
①
②
③
端子连接器
最大额定值
（Ta=25℃）
.
符号
V
CBO
V
EBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
c
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
评级
-30
-4
-25
-1
-1.5
600
+150
-55½+150
单位
V
V
V
A
A
mW
℃
℃
② ：辐射源
--Collector
内部BASE
电气特性
（Ta=25℃）
参数
V(
BR
)
CBO
V(
BR
)
EBO
V(
BR
)
首席执行官
I
CBO
I
EBO
※的hFE
VCE （ SAT ）
fT
参数
C到B击穿电压
E至B击穿电压
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
增益带宽积
测试条件
I
C
= -10ìA ，我
E
=0mA
I
E
= -10ìA ，我
C
=0mA
I
C
= -100ìA ，R
BE
= ∞
V
V
V
CB
EB
范围
民
-30
-4
-25
-
-
55
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
100
最大
-
-
-
-1
-1
300
-0.5
-
0.4
7.5MAX
单位
V
V
V
μA
μA
-
V
兆赫
C
D
90½180
E
150½300
= -25V ，我
E
= 0毫安
= -1V ，我
C
= -500mA
= -2V ，我
C
= 0毫安
CE
I
C
= -500mA ，我
B
= -25mA
V
CE
= -6V ，我
E
= 10毫安
※ ），它显示在右表中的hFE分类。
项
项目的hFE
55½110
谏早电子股份有限公司
ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
