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ISC3242AS1 参数 Datasheet PDF下载

ISC3242AS1图片预览
型号: ISC3242AS1
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内容描述: 低频POWOR AMPLIFY应用硅NPN外延型 [FOR LOW FREQUENCY POWOR AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 240 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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\u003c小信号晶体管\u003e
ISC3242AS1
低频POWOR AMPLIFY应用
硅NPN外延型
描述
ISC3242AS1是硅NPN外延型晶体管
专为小型电机驱动,电磁驱动器和电源
互补与2SA1998 。
7.5MAX
外形绘图
4.0
Unit:½½
电源应用。
3.0
特征
- 低V
CE
(SAT) 。
V
CE
(SAT) = 0.17V (典型值) ( @I
C
=1A)
●高的hFE的hFE = 150 〜800
●高集电极耗散。 P
C
=600mW
2.5
14.0
●高集电极电流。
I
C
=2A
13.0MIN
1.0
1.0
0.1
0.45
2.5
2.5
应用
小型电机驱动,用于录像机,卡座,播放器电源。
JEITA :
JEDEC :
端子连接器
最大额定值
(Ta=25℃)
符号
.
V
CBO
V
EBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
c
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
评级
20
6
20(16)※1
2
3
600
+150
-55½+150
单位
V
V
V
A
A
mW
② :辐射源
--Collector
内部BASE
电气特性
(Ta=25℃)
参数
V(
BR
)
CBO
V(
BR
)
EBO
V(
BR
)
首席执行官
I
CBO
I
EBO
hFE※2
VCE ( SAT )
fT
COB
参数
C到B击穿电压
E至B击穿电压
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
测试条件
I
C
= 10ìA ,我
E
=0mA
I
E
= 10ìA ,我
C
=0mA
I
C
= 2毫安,R
BE
= ∞
V
V
V
CB
EB
范围
20
6
20(16) ※1
-
-
150
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
0.17
80
28
最大
-
-
-
0.2
0.2
800
0.3
-
-
0.4
单位
V
V
V
μA
μA
-
V
兆赫
pF
= 16V ,我
E
= 0毫安
= 4V ,我
C
=100mA
= 4V ,我
C
= 0毫安
CE
I
C
= 1A ,我
B
=50mA
V
V
CE
= 2V ,我
E
= -10mA
= 10V ,我
E
= 0毫安, F = 1MHz的
项目的hFE
E
150½300
CB
※ 1 :()显示项目G值。
※ 2 :显示在右表中的hFE分类。
F
250½500
G
400½800
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