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ISC3244AS1 参数 Datasheet PDF下载

ISC3244AS1图片预览
型号: ISC3244AS1
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内容描述: 低频POWOR AMPLIFY应用硅NPN外延型 [FOR LOW FREQUENCY POWOR AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 163 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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\u003c小信号晶体管\u003e
ISC3244AS1
低频POWOR AMPLIFY应用
硅NPN外延型
描述
ISC3244AS1是硅NPN外延型晶体管
设计有较高的集电极耗散,高电压。
辅以ISA1284AS1 。
3.0
外形绘图
4.0
Unit:½½
特征
·高电压。
●高集电极电流峰值。
●高增益带宽产品。
I
CM
=800mA
FT =为130MHz (典型值)
14.0
V
首席执行官
=100V
13.0MIN
1.0
1.0
0.1
0.45
●高集电极耗散。 P
C
=600mW
2.5
2.5
2.5
应用
开车20〜 40W的放大器,继电器驱动器,电源
应用程序。
JEITA :
JEDEC :
端子连接器
最大额定值
(Ta=25℃)
符号
.
V
CBO
V
EBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
c
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
评级
100
5
100
500
800
600
+150
-55½+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
② :辐射源
--Collector
内部BASE
电气特性
(Ta=25℃)
参数
V(
BR
)
CBO
V(
BR
)
EBO
V(
BR
)
首席执行官
I
CBO
I
EBO
※的hFE
VCE ( SAT )
fT
COB
参数
C到B击穿电压
E至B击穿电压
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
测试条件
I
C
= 10ìA ,我
E
=0mA
I
E
= 10ìA ,我
C
=0mA
I
C
= 1毫安,R
BE
= ∞
V
V
V
CB
EB
范围
100
5
100
-
-
55
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
0.15
130
6.5
最大
-
-
-
0.5
0.5
300
0.5
-
-
0.4
7.5MAX
单位
V
V
V
μA
μA
-
V
兆赫
pF
D
90½180
E
150½300
= 50V ,我
E
= 0毫安
= 10V ,我
C
= 10毫安
= 2V ,我
C
= 0毫安
CE
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
V
CE
= 10V ,我
E
= -10mA
V
CB
= 10V ,我
E
= 0毫安, F = 1MHz的
※ ),它显示在右表中的hFE分类。
项目的hFE
C
55½110
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