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    ISC3581AS1 参数 Datasheet PDF下载

    ISC3581AS1图片预览
    型号： ISC3581AS1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 对于一般用途的高电流驱动应用硅NPN外延型 [FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
    分类和应用： 驱动
    文件页数/大小： 3 页 / 157 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号ISC3581AS1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ISC3581AS1的Datasheet PDF文件第3页  
    \u003c小信号晶体管\u003e
    ISC3581AS1
    对于一般用途的高电流驱动应用
    硅NPN外延型
    描述
    ISC3581AS1是硅NPN外延型晶体管
    专为高集电极电流的应用。
    辅以ISA1399AS1 。
    3.0
    4.0
    外形绘图
    Unit：½½
    特征
    13.0MIN
    1.0
    ●高增益带宽产品。 FT = 150MHz的典型值
    ●高V
    首席执行官
    . V
    首席执行官
    =50V
    ●优良的直流线性度正向电流增益。
    14.0
    1.0
    ●高集电极电流。
    I
    CM
    =600mA
    0.1
    0.45
    2.5
    2.5
    2.5
    应用
    对于开关，小型电机驱动应用。
    ①
    ②
    ③
    JEITA ： -
    JEDEC ： -
    端子连接器
    ② ：辐射源
    .
    --Collector
    内部BASE
    最大额定值
    （Ta=25℃）
    符号
    V
    CBO
    V
    EBO
    V
    首席执行官
    I
    C
    I
    CM
    P
    c
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    发射器基极电压
    集电极到发射极电压
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    评级
    55
    4
    50
    400
    600
    600
    +150
    -55½+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    记号
    型号名称
    581
    □□
    F
    批号
    项目的hFE
    电气特性
    （Ta=25℃）
    符号
    V(
    BR
    )
    CBO
    V(
    BR
    )
    EBO
    V(
    BR
    )
    首席执行官
    I
    CBO
    I
    EBO
    ※的hFE
    VCE （ SAT ）
    fT
    参数
    C到B击穿电压
    E至B击穿电压
    C至ê击穿电压
    收藏家切断电流
    发射器切断电流
    正向直流电流增益
    Ç到E饱和电压
    增益带宽积
    测试条件
    I
    C
    = 10ìA ，我
    E
    =0mA
    I
    E
    = 10ìA ，我
    C
    =0mA
    I
    C
    = 100ìA ，R
    BE
    = ∞
    V
    V
    V
    CB
    EB
    0.4
    范围
    民
    55
    4
    50
    -
    -
    90
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.15
    150
    最大
    -
    -
    -
    1
    1
    500
    0.5
    -
    7.5MAX
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    -
    V
    兆赫
    = 25V ，我
    E
    = 0毫安
    = 4V ，我
    C
    = 100毫安
    = 2V ，我
    C
    = 0毫安
    CE
    I
    C
    =的200mA，我
    B
    = 10毫安
    V
    CE
    = 6V ，我
    E
    = -10mA
    ※ ），它显示在右表中的hFE分类。
    D
    90½180
    E
    150½300
    F
    250½500
    谏早电子股份有限公司

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