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ISC6053AU1 参数 Datasheet PDF下载

ISC6053AU1图片预览
型号: ISC6053AU1
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内容描述: 对于一般用途的高电流驱动应用硅NPN外延型 [FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
分类和应用: 驱动
文件页数/大小: 4 页 / 197 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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初步
•本
数据表变化的可能性。
因为现在该设备正在开发。
ISC6053AU1
对于一般用途的高电流驱动应用
硅NPN外延型
描述
ISC6053AU1是硅NPN外延型晶体管
高集电极电流设计,低V
CE (SAT) 。
外形绘图
1.5
0.35
0.8
0.35
单位:mm
0.5
0.22
1.7
1.0
0.5
特征
•高集电极电流
I
C(最大值)
=650mA
●低集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
<0.5V
最大
0.7
0.55
应用
对于开关应用中,小型电机驱动应用。
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
0½0.1
JEITA:SC-75A
JEDEC : -
最大额定值(Ta = 25℃)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极到发射极电压
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
评级
20
25
4
650
150
150
-55½150
单位
V
V
V
mA
mW
记号
型号名称
项目的hFE
· BG
电气特性(Ta = 25℃)
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
参数
C至ê击穿电压
C到B击穿电压
E至B击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
增益带宽积
测试条件
I
C
= 100uA的,我
B
=0
I
C
=为10uA ,我
E
=0
I
E
=为10uA ,我
C
=0
V
CB
= 25V ,我
E
=0
V
EB
= 2V ,我
C
=0
V
CE
=4V,I
C
=100mA
I
C
= 500毫安,我
B
=25mA
V
CE
=6V,I
E
=-10mA,
的hFE
20
25
4
150
范围
典型值
0.3
290
E
150½300
0.12
0.32
最大
1
1
800
0.5
F
250½500
单位
V
V
V
uA
uA
V
兆赫
G
400½800
*:它显示在下面的表的hFE分类。
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