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RT1N230T 参数 Datasheet PDF下载

RT1N230T图片预览
型号: RT1N230T
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内容描述: 晶体管,电阻器,用于切换应用NPN硅外延型 [Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type]
分类和应用: 晶体电阻器晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 122 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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RT1P141X系列
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
CBO
EBO
CEO
CM
T�½�
T�½��½��½�
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散( TA = 25 ℃ )
结温
储存温度
RT1N230T
RT1N230U
等级
RT1N230M
50
6
50
100
200
\u003c晶体管\u003e
晶体管,电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
RT1N230C
RT1N230S
单位
125
(※ )
+125
-55�½�+125
150
200
+150
-55�½�+150
450
V
V
V
mA
mA
mW
( ※ )包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
电气特性(Ta = 25℃)
符号
(BR)CEO
CBO
�½�
FE
CE(�½��½��½�)
�½�
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
输入阻抗
增益带宽积
测试条件
I
C
=100μA,R
BE
=∞
V
CB
=50V,I
E
=0
V
CE
=5V,I
C
=1mA
I
C
=10mA,I
B
=0.5mA
V
CE
=6V,I
E
50
100
1.5
极限
典型值
最大
0.1
0.3
2.8
单位
V
μA
V
兆赫
=-10mA
2.2
200
典型特征
我NP UT 0:N VO LTAGE
VS .CO LLECTO ř CUR ř耳鼻喉科
10
输入ON VOLTEGE V
我(上)
(V)
DC FORWARD CURRENT GAIN �½�
FE
DC FO RWAR D电流盖ñ
νs的.CO LL ECTO R本期
1000
V
CE
=5V
V
CE
=0.2V
1
100
0.1
0.1
1
10
集电极电流I
(�½�A)
CO L LECTO ř CUR ř耳鼻喉科
VS .I NP UT Ø FF VO LTA GE
1000
V
CE
=5V
集电极电流I
(μA)
10
100
0.1
1
10
集电极电流I
(�½�A)
100
100
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
输入OFF电压V
I(OFF)
(V)
2
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