RT1P250S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RT1P250S
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内容描述：	晶体管，电阻器，用于切换应用NPN硅外延型 [Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type]
分类和应用：	晶体电阻器晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 61 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

R 1 3 X系列

Ｔ P２０

最大额定值（ TA = 25 ℃ ）

符号

Ｖ

ＢＯ

Ｃ

Ｖ

ＢＯ

Ｅ

Ｖ

ＥＯ

Ｃ

Ｉ

Ｃ

Ｉ

ＣＭ

Ｐ

Ｃ

Ｔ

�½�

Ｔ�½�

�½��½�

参数

集电极 - 基极电压

发射器基极电压

集电极到发射极电压

集电极电流

峰值集电极电流

集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）

结温

储存温度

RT1P250U

等级

RT1P250M

RT1P250C

-50

-6

-50

-100

-200

200

+150

-55∼+150

〈

晶体管

〉

晶体管，电阻器

对于开关应用

PNP硅外延型

RT1P250S

单位

℃

极限

典型值

150

+150

-55∼+150

450

电气特性（Ta = 25℃）

符号

Ｖ

ＢＲ）ＣＥＯ

（

Ｉ

ＣＢＯ

�½�

Ｅ

Ｆ

Ｖ

Ｅ �½��½�

Ｃ（ �½�）

Ｒ

１

�½�

Ｔ

参数

C至ê击穿电压

收藏家切断电流

正向直流电流增益

Ç到E饱和电压

输入阻抗

增益带宽积

测试条件

��C

=-100μA，R

=∞

=-50V，I

=-5V，I

=-1mA

=-0.5mA，I

=-0.05mA

=-6V，I

=10mA

民

-50

100

-0.3

200

150

最大

-0.1

单位

μA

−

kΩ

兆赫

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