RT1P434U 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RT1P434U
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内容描述：	晶体管，电阻，开关应用PNP硅外延型 [Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type]
分类和应用：	晶体开关晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 64 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

R 1 3 X系列

ＴＰ３Ｘ

最大额定值（ TA = 25 ℃ ）

符号

Ｖ

ＢＯ

Ｃ

Ｖ

ＢＯ

Ｅ

Ｖ

ＥＯ

Ｃ

Ｉ

Ｃ

Ｉ

ＣＭ

Ｐ

Ｃ

Ｔ

�½�

Ｔ�½�

�½��½�

参数

集电极 - 基极电压

发射器基极电压

集电极到发射极电压

集电极电流

峰值集电极电流

集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）

结温

储存温度

RT1P434U

等级

RT1P434M

RT1P434C

-50

-6

-50

-100

-200

200

+150

-55∼+150

〈

晶体管

〉

晶体管，电阻器

对于开关应用

PNP硅外延型

RT1P434S

单位

℃

极限

典型值

150

+150

-55∼+150

450

电气特性（Ta = 25℃）

符号

Ｖ

ＢＲ）ＣＥＯ

（

Ｉ

ＣＢＯ

�½�

Ｅ

Ｆ

Ｖ

Ｅ �½��½�

Ｃ（ �½�）

Ｖ

（Ｎ

ＩＯ）

Ｖ

（Ｆ）

ＩＯＦ

Ｒ

１

Ｒ／Ｒ

１

２

�½�

Ｔ

参数

C至ê击穿电压

收藏家切断电流

正向直流电流增益

Ç到E饱和电压

输入电压

输入过电压

输入阻抗

电阻率

增益带宽积

测试条件

=-100μA，R

=∞

=-50V，I

=-5V，I

=-5mA

=-10mA，I

=-0.5mA

=-0.2V，I

=-5mA

=-5V，I

=-100μA

民

-50

-0.1

-0.9

-0.7

4.7

150

-0.3

-1.7

6.1

5.1

最大

-0.1

单位

μA

−

kΩ

兆赫

-0.5

3.3

4.2

=-6V，I

=10mA

典型特征

输入电压集电极电流

-10

输入电压IO ）V

Ｖ（Ｎ（）

正向直流电流增益˚F

�½�Ｅ

1000

直流正向电流增益-collector电流

100

-1

-0.1

-1

-10

Collector Current Ｃ �½�Ａ

Ｉ（）

集电极电流 - 输入电压关

-100

-1

-10

Collector Current Ｃ �½�Ａ

Ｉ（）

-100

-1000

集电极电流C μA

Ｉ（）

-100

-10

-0

-0.4

-0.8

-1.2

-1.6

输入过电压IOF ）V

Ｖ（Ｆ（）

-2

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