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RT2N12M 参数 Datasheet PDF下载

RT2N12M图片预览
型号: RT2N12M
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内容描述: 复合晶体管,电阻,开关应用硅NPN外延型 [COMPOSITE TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITCHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
分类和应用: 晶体开关晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 54 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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RT2N12M
复合晶体管,电阻
对于开关应用
硅NPN外延型
描述
RT2N12M是具有内置偏置电阻的复合晶体管
外形绘图
2.1
1.25
单位:mm
●内置偏置电阻( R1 = 4.7千欧, R2 = 47KΩ )
●小型封装,易于安装
2.0
0.65
0.65
应用
反相电路,开关电路,接口电路,驱动电路
0.9
0.65
RTr1
RTr2
0∼0.1
R1
R2
R2
R1
端子连接器
: BASE1
:辐射源
(共同
: BASE1
: COLLECTOR2
: COLLECTOR2
JEITA : -
JEDEC
:−
最大额定值
符号
V
CBO
V
EBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
( TA = 25 ℃ (
)RTr1、RTr2
参数
评级
50
6
50
100
200
150
+150
-55∼+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
记号
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散
(共
Ta=25℃
结温
储存温度
N
H
② ③
谏早电子股份有限公司
0.13
0.2
特征