RT2N65M 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RT2N65M
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内容描述：	复合晶体管静音应用NPN硅外延型 [Composite Transistor For Muting Application Silicon NPN Epitaxial Type]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 137 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

RT2N65M

复合晶体管

静音应用

硅NPN外延型

外形绘图

描述

RT2N65M是具有内置偏置电阻的复合晶体管

①

2.1

1.25

⑤

0.2

0.13

④

RTr2

0�½�0.1

②

③

单位：mm

特征

0.65

2.0

0.65

●内置偏置电阻（ R1 = 10kΩ）连接

��Mini package for easy mounting

②

③

④

应用

噪声抑制电路，开关电路

0.9

0.65

⑤

RTr1

①

端子连接器

① ： BASE1

② ：发射器（ COMMON ）

① ： BASE1

④ ： COLLECTOR2

JEITA ： -

JEDEC ： -

最大额定值

符号

CBO

EBO

首席执行官

（Ta=25℃）（RTr1、RTr2）

参数

评级

400

150

＋150

-55�½�＋150

单位

℃

①

②

③

记号

⑤

④

集电极 - 基极电压

发射器基极电压

集电极到发射极电压

集电极电流

集电极耗散（共TA = 25 ℃ ）

结温

储存温度

英镑

６５

２

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