RT3J55M 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RT3J55M
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内容描述：	复合晶体管对高速开关硅P沟道MOSFET [Composite Transistor For high speed switching Silicon P-channel MOSFET]
分类和应用：	晶体开关晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 144 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

RT3J55M

复合晶体管

对于高速开关

硅P沟道MOSFET

描述

RT3J55M是内置有两个复合晶体管

INJ0011AX

芯片SC- 88封装。

外形绘图

2.1

1.25

①

0.65

②

③

⑥

⑤

④

0.2

单位：mm

特征

·输入阻抗高，而不必考虑驱动

电流。

· Vth为低，且驱动器通过低电压是可能的。

Vth=-1.0�½�-2.0V

·低导通电阻。

(on)=7.0Ω(TYP)＠I

= -100mA ，V

=-4.0V

(on)=4.8Ω(TYP)＠I

= -100mA ，V

=-10V

·高速开关。

·小包装，便于安装。

0.65

2.0

0.65

高速开关，模拟开关

⑥

Tr.1

⑤

0�½�0.1

应用

④

Tr.2

终奌站

连接器

①：SOURCE1

②：GATE1

③：DRAIN2

④：SOURCE2

⑤：GATE2

⑥ ： DRAIN1

JEITA：SC-88

①

②

③

最大额定值（ TA = 25 ℃ ）

符号

DSS

GSS

英镑

参数

等级

－50

单位

℃

记号

⑥ ⑤ ④

漏源电压

栅源电压

漏电流

总功耗（ TA = 25 ℃ ）

通道温度

储存温度范围

±20

-100

150

＋150

-55�½�＋150

Ｊ５５

C９９

Ｙ９９

C９７

① ② ③

谏早电子股份有限公司

0.13

0.9

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