RT3K33M
复合晶体管
对于高速开关
硅N沟道MOSFET
描述
RT3K33M是内置有两个复合晶体管
INK0003AX
芯片SC- 88封装。
外形绘图
2.1
1.25
①
0.65
②
③
⑥
⑤
④
0.2
单位:mm
特征
·输入阻抗高,而不必考虑驱动
电流。
・Vth is low, and drive by low voltage is possible. Vth=0.6�½�1.2V
·低导通电阻。罗恩= 0.9Ω ( TYP )
·高速开关。
·小包装,便于安装。
2.0
应用
高速开关,模拟开关
0.65
0.13
0�½�0.1
⑤
Tr.1
0.9
0.65
⑥
④
Tr.2
终奌站
连接器
①:SOURCE1
②:GATE1
③:DRAIN2
④:SOURCE2
⑤:GATE2
⑥ : DRAIN1
JEITA:SC-88
①
②
③
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
参数
等级
20
单位
V
V
mA
mW
℃
℃
6
5
4
记号
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功耗( TA = 25 ℃ )
通道温度
储存温度范围
±8
200
150
+125
-55�½�+125
.
.
K3 3
1
2
3
谏早电子股份有限公司