RT3N33M 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RT3N33M
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内容描述：	复合晶体管，电阻 [Composite Transistor With Resistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 57 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

初步

RT3N33M

通过电阻晶体管复合

对于开关应用

硅外延型

电气特性（ TA = 25

℃)

符号

（ BR ） CEO

CBO

CE （ SAT ）

我（上）

我（关闭）

参数

集电极到发射极击穿电压

收藏家切断电流

正向直流电流增益

集电极到发射极饱和电压

输入电压

输入过电压

输入电阻

电阻率

增益带宽积

测试条件

=100μA,R

=∞

=50V,I

=5V,I

=5mA

=10mA,I

=0.5mA

=0.2V,I

=5mA

=5V,I

=100μA

=6V,I

=-10mA

范围

民

0.8

0.9

典型值

0.1

2.2

1.1

1.0

200

最大

0.1

0.3

5.0

1.1

单位

μA

kΩ

典型特征

输入电压电流-collector

输入电压IO ）V

Ｖ（Ｎ（）

正向电流增益˚F

�½�Ｅ

1000

直流正向电流增益-collector电流

100

0.1

Collector current Ｃ �½�Ａ

Ｉ（）

集电极电流 - 输入电压关

1000

Collector current Ｉ �½�Ａ

Ｃ（）

100

Collector current Ｃ �½�Ａ

Ｉ（）

100

0.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

输入电压IOF ）V

Ｖ（Ｆ（）

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