RT3NDDM 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RT3NDDM
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内容描述：	复合晶体管，电阻 [Composite Transistor With Resistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 59 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

初步

RT3NDDM

复合晶体管，电阻

对于开关应用

硅NPN外延型

描述

RT3NDDM是内置有两个复合晶体管

RT1N237芯片SC- 88封装。

外形绘图

2.1

1.25

①

0.65

②

③

⑥

⑤

④

0.2

单位

：mm

特征

硅NPN外延型

内置偏置电阻（ R1 =采用2.2kΩ ， R2 = 47千欧姆）

每个晶体管元件是独立的。

微型封装，易于安装

2.0

应用

反相电路，开关电路，

接口电路，驱动电路

0.65

0.13

⑤

RTr1

RTr2

①

②

③

0∼0.1

⑥

④

终奌站

连接器

①

：EMITTER1

②

：BASE1

③

：COLLECTOR2

④

：EMITTER2

⑤

：BASE2

⑥ ： COLLECTOR1

JEITA：SC-88

最大额定值（ TA = 25

℃)

符号

CBO

EBO

首席执行官

英镑

参数

集电极 - 基极电压

发射器基极电压

集电极到发射极电压

集电极电流

峰值集电极电流

集电极耗散

（道达尔，

Ta=25℃

）

结温

储存温度

等级

100

200

150

＋150

-55∼＋150

单位

℃

0.9

0.65

记号

⑥ ⑤ ④

ñ DD

① ② ③

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