初步
RT3U33M
复合晶体管
对于高速开关
硅的N沟道+ P沟道MOSFET
描述
RT3U33M
is
a
综合
晶体管
BUILT
同
外形绘图
2.1
1.25
①
0.65
②
③
⑥
⑤
④
0.2
单位:mm
INK0003AX和INJ0003AX芯片SC- 88封装。
特征
·输入阻抗高,而不必考虑驱动
电流。
・Vth is low, and drive by low voltage is possible. Vth=0.6�½�1.2V
·低导通电阻。罗恩= 0.9 / 2Ω ( Tr1的/ TR2) TYP
·高速开关。
·小包装,便于安装。
2.0
应用
高速开关,模拟开关
* P沟道MOSFET Tr2的的负号,省略
0�½�0.1
0.65
0.13
⑤
Tr.1
0.9
0.65
⑥
④
Tr.2
终奌站
连接器
①:SOURCE1
②:GATE1
③:DRAIN2
④:SOURCE2
⑤:GATE2
⑥ : DRAIN1
JEITA:SC-88
①
②
③
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
参数
等级
20
单位
V
V
mA
mW
℃
℃
6
5
4
记号
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功耗( TA = 25 ℃ )
通道温度
储存温度范围
±8
200
150
+125
-55�½�+125
.
.
U3 3
1
2
3
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