RT3WLMM 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RT3WLMM
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内容描述：	复合晶体管 [Composite Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 146 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

初步

RT3WLMM

复合晶体管

低频AMPLIFY应用

硅外延型

典型特征

（Tr2）

共发射极输出

-50

共发射极转移

0.18mA

0.16mA

Ta=25℃

0.14mA

0.12mA

集电极电流IC （MA ）

Ta=25℃

VCE=-6V

-40

集电极电流IC （MA ）

-30

0.10mA

0.08mA

-30

-20

0.06mA

0.04mA

-20

-10

0.02mA

IB=0

-10

-0

-1

-2

-3

-4

-5

集电极 - 发射极电压VCE （ V）

-0

-0.0

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

基地发射极电压VBE （ V）

-1.0

正向直流电流增益

与集电极电流

10000

作者：正向电流相对价值

增益hFE

Ta=25℃

VCE=-6V

100(@IC=-1mA)

1000

250

Ta=25℃

VCE=-6V

200

增益带宽积

与发射极电流

增益带宽积英尺（兆赫）

150

100

-0.1

-1

-10

-100

集电极电流IC （MA ）

集电极输出电容

与集电极 - 基极电压

-1000

0.1

发射极电流IE （毫安）

100

集电极输出电容科夫（PF ）

Ta=25℃

IE=0

f=1MHz

0.1

-0.1

-1

-10

集电极基极电压VCB （ V）

-100

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