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    2SC3122 参数 Datasheet PDF下载

    2SC3122图片预览
    型号： 2SC3122
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： ISC的硅NPN晶体管RF [isc Silicon NPN RF Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 150 K
    品牌： ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
     浏览型号2SC3122的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC3122的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC3122的Datasheet PDF文件第4页  
    INCHANGE Semiconductor
    isc
    RF Product Specification
    isc
    Silicon NPN RF Transistor
    2SC3122
    DESCRIPTION
    ·High
    Gain-
    : G
    pe
    = 24dB TYP. @ f= 200MHz
    ·Low
    Noise-
    : NF= 2.0dB TYP. @ f= 200MHz
    APPLICATIONS
    ·Designed
    for TV VHF RF amplifier applications.
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
    a
    =25
    ℃)
    SYMBOL
    PARAMETER
    VALUE
    UNIT
    V
    CBO
    Collector-Base Voltage
    30
    V
    V
    CEO
    Collector-Emitter Voltage
    30
    V
    V
    EBO
    Emitter-Base Voltage
    3
    V
    I
    C
    Collector Current-Continuous
    20
    mA
    I
    B
    B
    Base Current-Continuous
    10
    mA
    P
    C
    Collector Power Dissipation
    @T
    C
    =25℃
    0.15
    W
    T
    J
    Junction Temperature
    125
    ℃
    T
    stg
    Storage Temperature Range
    -55~125
    ℃
    isc Website：www.iscsemi.cn

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