2SD869 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD869
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内容描述：	硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
分类和应用：	晶体晶体管局域网
文件页数/大小：	3 页 / 155 K
品牌：	ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

(BR)EBO

CEsat

BEsat

CBO

PARAMETER

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

DC current gain

Diode forward voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

Fall time

CONDITIONS

=200m A;I

=3 A;I

=0.8 A

2SD869

MIN

TYP.

MAX

UNIT

8.0

1.5

2.0

1.0

μA

=3 A;I

=0.8 A

=500V;I

=0.5A ; V

=5V

=3.5A

=0.1A ; V

=10V

=0 ; V

=10V;f=1MHz

=3A;I

end

=0.8A

MHz

μs

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