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    IRF640 参数 Datasheet PDF下载

    IRF640图片预览
    型号： IRF640
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： ISC N沟道MOSFET晶体管 [isc N-Channel MOSFET Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 162 K
    品牌： ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
     浏览型号IRF640的Datasheet PDF文件第1页  
    INCHANGE Semiconductor
    isc
    Product Specification
    isc N-Channel Mosfet Transistor
    ·ELECTRICAL
    CHARACTERISTICS (T
    C
    =25℃)
    SYMBOL
    V
    (BR)DSS
    V
    GS(
    th
    )
    R
    DS(
    on
    )
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    SD
    PARAMETER
    Drain-Source Breakdown Voltage
    Gate Threshold Voltage
    Drain-Source On-stage Resistance
    Gate Source Leakage Current
    Zero Gate Voltage Drain Current
    Diode Forward Voltage
    CONDITIONS
    V
    GS
    = 0; I
    D
    = 0.25mA
    V
    DS
    = V
    GS
    ; I
    D
    = 0.25mA
    V
    GS
    =10V; I
    D
    = 10A
    V
    GS
    =
    ±20V;V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 200V; V
    GS
    = 0
    I
    F
    = 18A; V
    GS
    =0
    MIN
    200
    2
    IRF640
    MAX
    UNIT
    V
    4
    0.18
    ±100
    200
    2.0
    V
    Ω
    nA
    uA
    V
    isc Website：www.iscsemi.cn

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