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2N6059 参数 Datasheet PDF下载

2N6059图片预览
型号: 2N6059
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内容描述: ISC的硅NPN Darlingtion功率晶体管 [isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 2 页 / 164 K
品牌: ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
 浏览型号2N6059的Datasheet PDF文件第2页  
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN Darlingtion功率晶体管
描述
.Built式
基极发射极分流电阻
高¡
直流电流GAIN-
h
FE
= 750 (最小值) @我
C
= 6A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
V
CEO ( SUS )
= 100V (最小值)
.Complement
键入2N6052
应用
·设计
为通用放大器和低频
开关应用。
绝对最大额定值(T
C
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
2N6059
集电极电流 - 连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率@ T
C
=25℃
结温
储存温度
w
w
w
参数
.CN
i
em
cs
。是
100
100
5
V
V
V
12
20
A
A
A
W
0.2
150
200
-65~200
价值
单位
热特性
符号
R
第j个-C
最大
1.17
单位
℃/W
ThermalResistance ,结到外壳
ISC的网站: www.iscsemi.cn