2SA1386 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA1386
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内容描述：	ISC的硅PNP功率晶体管 [isc Silicon PNP Power Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 149 K
品牌：	ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅PNP功率晶体管

电气特性

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

条件

民

2SA1386

典型值。

最大

单位

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

= -25mA ;我

= 0

-160

（SAT）

集电极 - 发射极饱和电压

= -5.0A ;我

= -0.5A

-2.0

CBO

收藏家Cuto FF电流

= -160V ;我

-100

μA

EBO

发射Cuto FF电流

= -5V ;我

-100

μA

直流电流增益

= -5A ; V

= -4V

180

输出电容

=0 ; V

= -10V ; F = 1.0MHz的

500

电流增益带宽积

= 2A ; V

= -12V

兆赫

开关时间

开启时间

= -10A ，R

= 4Ω,

= -I

= -1A ，V

=-40V

0.3

μs

英镑

贮存时间

0.7

μs

下降时间

0.2

μs

分类

50-100

70-140

90-180

ISC的网站： www.iscsemi.cn

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