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    2SB1342 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1342图片预览
    型号： 2SB1342
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 36 K
    品牌： ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
     浏览型号2SB1342的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB1342的Datasheet PDF文件第3页  
    INCHANGE半导体
    产品speci fi cation
    硅PNP功率晶体管
    2SB1342
    特征
    除非另有说明， TJ = 25 ℃
    符号
    参数
    条件
    民
    典型值。
    最大
    单位
    V
    （ BR ） CEO
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    = -1mA ;我
    B
    =0
    -80
    V
    V
    （ BR ） CBO
    集电极 - 基极击穿电压
    I
    C
    = -50μA ;我
    E
    =0
    -80
    V
    V
    CESAT
    集电极 - 发射极饱和电压
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    =-4mA
    -1.0
    -1.5
    V
    μA
    I
    CBO
    集电极截止电流
    V
    CB
    = -80V ;我
    E
    =0
    -100
    I
    EBO
    发射极截止电流
    V
    EB
    = -5V ;我
    C
    =0
    -3.0
    mA
    h
    FE
    直流电流增益
    I
    C
    = -2A ; V
    CE
    =-3V
    1000
    10000
    f
    T
    跃迁频率
    I
    C
    = -0.5A ; V
    CE
    =-5V
    12
    兆赫
    C
    OB
    输出电容
    I
    E
    =0 ; V
    CB
    =-10V;f=1MHz
    45
    pF
    2

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