2SB649A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB649A
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内容描述：	ISC的硅PNP功率晶体管 [isc Silicon PNP Power Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 81 K
品牌：	ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅PNP功率晶体管

2SB649A

描述

高¡

集电极电流-I

=-1

.5A

高¡

集电极 - 发射极击穿电压 -

: V

（ BR ） CEO

=-160V(Min)

良好

h的线性度

ULOW

饱和电压

.Complement

到类型2SD669A

应用

“权力

扩增fi er应用

绝对最大额定值（T

=25

℃)

符号

CBO

首席执行官

EBO

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

集电极电流脉冲

集电极耗散功率

@ T

=25℃

集电极耗散功率

@ T

=25℃

英镑

结温

存储温度范围

150

-55~150

℃

价值

-180

-160

-5

-1.5

-3

单位

ISC的网站： www.iscsemi.cn

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