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2SC5198 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC5198
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内容描述: ISC的硅NPN功率晶体管 [isc Silicon NPN Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 152 K
品牌: ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
2SC5198
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 50毫安;我
B
= 0
140
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 0.7A
B
2.0
V
V
BE (
on
)
基射极电压上
I
C
= 5A ; V
CE
= 5V
1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 140V ;我
E
=0
5
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
5
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
55
160
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
= 5V
35
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; ˚F
TEST
= 1.0MHz的
170
pF
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
30
兆赫
h
FE-1
分类
R55
55-65
R65
65-75
R75
75-85
R85
85-95
O95
95-105
O105
105-115
O115
115125
O125
125-135
O135
135-145
O145
145-155
O155
155-160
ISC的网站: www.iscsemi.cn
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