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2SC5287 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC5287
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内容描述: 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 4 页 / 145 K
品牌: ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2SC5287
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安,我
B
=0
550
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1.8A ;我
B
=0.36A
0.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 1.8A ;我
B
=0.36A
1.2
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 800V ;我
E
=0
100
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 7V ;我
C
=0
100
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1.8A ; V
CE
=4V
10
25
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
f
T
开关时间
电半
开启时间
贮存时间
跃迁频率
t
on
t
s
IN
ES
CH
导�½�
I
E
= -0.35A ; V
CE
=12V
ON
MIC
E
OR
DUT
6
0.7
4.0
50
pF
兆赫
μs
I
C
= 1.8A ; ř
L
=139Ω
I
B1
= 0.27A ;我
B2
=-0.9A
V
CC
=250V
μs
t
f
下降时间
0.5
μs
2