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    2SD1879 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1879图片预览
    型号： 2SD1879
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 96 K
    品牌： ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
     浏览型号2SD1879的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SD1879的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SD1879的Datasheet PDF文件第4页  
    INCHANGE半导体
    产品speci fi cation
    硅NPN功率晶体管
    2SD1879
    特征
    除非另有说明， TJ = 25 ℃
    符号
    V
    CEO （ SUS ）
    V
    CESAT
    V
    BESAT
    I
    CBO
    I
    EBO
    I
    CES
    h
    FE-1
    h
    FE-2
    V
    F
    t
    f
    参数
    集电极 - 发射极电压维持
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极截止电流
    直流电流增益
    直流电流增益
    二极管的正向电压
    下降时间
    条件
    I
    C
    = 100毫安，我
    B
    =0
    I
    C
    = 5A ;我
    B
    =1A
    I
    C
    = 5A ;我
    B
    =1A
    V
    CB
    = 800V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    =1500V
    I
    C
    = 1A ; V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 5A ; V
    CE
    =5V
    I
    EC
    = 6A ，我
    B
    =0
    I
    C
    =4A;R
    L
    =50Ω; V
    CC
    =200V
    I
    B1
    = 0.8A ; - 我
    B2
    =1.6A
    0.1
    8
    5
    10
    2
    0.3
    V
    μs
    40
    民
    800
    5
    1.5
    10
    130
    1.0
    典型值。
    最大
    单位
    V
    V
    V
    μA
    mA
    mA
    2

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