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2SD560 参数 Datasheet PDF下载

2SD560图片预览
型号: 2SD560
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内容描述: ISC的硅NPN达林顿功率晶体管 [isc Silicon NPN Darlington Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 142 K
品牌: ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD560
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO ( SUS )
= 100V (最小值)
高¡
直流电流增益
: h
FE
= 2000 (最小值) @I
C
= 3.0A
ULOW
饱和电压
.Complement
到类型2SB601
应用
·设计
对于低频功率放大器和低速
切换应用程序
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
150
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
100
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
7
V
I
C
集电极电流连续
5
A
I
CP
集电极电流峰值
8
A
I
B
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
0.5
A
1.5
W
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
结温
30
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
ISC的网站: www.iscsemi.cn