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2SD600K 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD600K
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内容描述: 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 202 K
品牌: ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD600 2SD600K
描述
·带
TO- 126封装
.Complement
键入2SB631 / 631K
高¡
击穿电压V
首席执行官
100/120V
高¡
电流1A
ULOW
饱和电压
应用
➁For
低频功率放大器
应用
钉扎
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
·
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
参数
2SD600
集电极 - 基极电压
2SD600K
2SD600
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
2SD600K
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
T
a
=25℃
总功耗
T
C
=25℃
结温
储存温度
8
150
-55~150
集电极开路
开基
120
5
1
2
1
W
V
A
A
发射极开路
120
100
V
条件
价值
100
V
单位