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    2SD798 参数 Datasheet PDF下载

    2SD798图片预览
    型号： 2SD798
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 41 K
    品牌： ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
     浏览型号2SD798的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SD798的Datasheet PDF文件第3页  
    INCHANGE半导体
    产品speci fi cation
    硅NPN功率晶体管
    特征
    除非另有说明， TJ = 25 ℃
    符号
    V
    CEO （ SUS ）
    V
    CESAT
    V
    BESAT
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE-1
    h
    FE-2
    C
    OB
    参数
    集电极 - 发射极电压维持
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    直流电流增益
    集电极输出电容
    条件
    I
    C
    = 0.5A L = 40mH
    I
    C
    = 4A ，我
    B
    =0.04A
    I
    C
    = 4A ，我
    B
    =0.04A
    V
    CB
    = 600V ;我
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ;我
    C
    =0
    I
    C
    = 2A ; V
    CE
    =2V
    I
    C
    = 4A ; V
    CE
    =2V
    f=1MHz;V
    CB
    =50V
    1500
    200
    35
    民
    300
    典型值。
    2SD798
    最大
    单位
    V
    2.0
    2.5
    0.5
    0.5
    V
    V
    mA
    mA
    pF
    开关时间
    t
    on
    t
    英镑
    t
    f
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    I
    B1
    =-I
    B2
    =0.04A
    V
    CC
    ≈100V,R
    L
    =25Ω
    1
    8
    5
    μs
    μs
    μs
    2

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