8N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	8N60
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内容描述：	ISC N沟道MOSFET晶体管 [isc N-Channel Mosfet Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 63 K
品牌：	ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC N沟道MOSFET晶体管

8N60

■特点

·漏

当前

–I

= 7.5A @ T

=25℃

·漏

源电压 -

: V

DSS

= 600V （最小值）

“静态

漏源导通电阻

: R

DS （ ON）

= 1.2Ω （最大）

•雪崩

能源指定

·快速

开关

●简单

DRIVE要求

· DESCRITION

·设计

为高效率开关模式电源。

“绝对

最大额定值（T

=25℃)

符号

DSS

英镑

参数

漏源电压

栅源电压，连续

漏电流连续

漏电流单Plused

总功耗@T

=25℃

马克斯。工作结温

储存温度

价值

600

±20

7.5

147

150

-55~150

单位

℃

热

特征

符号

第j个-C

日J-一

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

最大

0.85

62.5

单位

℃/W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

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