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BD645 参数 Datasheet PDF下载

BD645图片预览
型号: BD645
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内容描述: ISC的硅NPN达林顿功率晶体管 [isc Silicon NPN Darlington Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 108 K
品牌: ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
 浏览型号BD645的Datasheet PDF文件第2页  
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
BD645
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= 60V (最小值)
高¡
直流电流增益
: h
FE
= 750 (分钟) @I
C
= 3A
ULOW
饱和电压
.Complement
到类型BD646
应用
·设计
用作补充AF推挽输出
舞台应用
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
80
60
5
8
12
0.3
2
单位
V
V
V
A
A
A
P
C
W
62.5
150
-65~150
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
最大
2
62.5
单位
℃/W
℃/W
ISC的网站: www.iscsemi.cn