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BDT63C 参数 Datasheet PDF下载

BDT63C图片预览
型号: BDT63C
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内容描述: ISC的硅NPN达林顿功率晶体管 [isc Silicon NPN Darlington Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 119 K
品牌: ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
 浏览型号BDT63C的Datasheet PDF文件第2页  
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
描述
-collector
目前-I
C
=
10A
高¡
直流电流增益-H
FE
= 1000 (最小值) @我
C
= 3A
.Complement
到类型BDT62 / A / B / C
应用
·设计
用于音频输出级和通用
扩增fi er应用
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
BDT63
集电极 - 发射极
电压
BDT63A
BDT63B
BDT63C
BDT63
集电极 - 发射极
电压
BDT63A
BDT63B
BDT63C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BDT63/A/B/C
价值
60
80
单位
V
CER
V
100
120
60
80
V
100
120
5
10
15
0.25
90
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
首席执行官
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
1.39
单位
℃/W
ISC的网站: www.iscsemi.cn