IRF634 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF634
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内容描述：	N沟道场效应晶体管的晶体管 [N-channel mosfet transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	1 页 / 115 K
品牌：	ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]

MOSFET

INCHANGE

IRF634

N沟道场效应晶体管的晶体管

特点

·带

的TO-220封装

●简单

DRIVE要求

·快速

开关

・V

DSS

= 250V ; ř

DS （ ON）

≤0.45Ω;I

=8.1A

・1.gate

2.drain 3.source

123

绝对最大额定值TC = 25 ℃

符号

DSS

合计

英镑

参数

漏源电压（V

=0)

栅源电压

漏电流连续@ T

=25℃

总功耗@ T

=25℃

等级

250

±20

8.1

150

单位

℃

固电

马克斯。工作结温

储存温度

电气特性TC = 25 ℃

符号

参数

（ BR ） DSS

GS （ TH）

DS （ ON）

GSS

DSS

漏源击穿电压

栅极阈值电压

昂

导�½�

半

-65~150

MIC

条件

DUT

民

最大

TO-220

单位

=0; I

=0.25mA

250

450

±100

mΩ

= V

; I

=0.25mA

= 10V ;我

=5.1A

±20V

=250V; V

= 8.1A ; V

漏源导通电阻的阶段

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

二极管的正向电压

2.0

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