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MJE200 参数 Datasheet PDF下载

MJE200图片预览
型号: MJE200
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内容描述: ISC的硅NPN功率晶体管 [isc Silicon NPN Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 2 页 / 91 K
品牌: ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
 浏览型号MJE200的Datasheet PDF文件第1页  
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO ( SUS )
V
CE
(sat)-1
V
CE
(sat)-2
V
CE
(sat)-3
V
BE
(SAT)
V
BE
(上)
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
集电极电容
条件
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
I
C
= 0.5 A;我
B
= 50毫安
I
C
= 2A ,我
B
= 0.2A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
B
MJE200
25
最大
单位
V
0.3
0.75
1.8
2.5
1.6
0.1
0.1
0.1
70
45
10
65
80
180
V
V
V
V
V
μA
mA
μA
I
C
= 5A ;我
B
= 1A
B
I
C
= 2A
;
V
CE
= 1V
V
CB
= 40V
;
I
E
= 0
V
CB
= 40V
;
I
E
= 0;T
C
= 125℃
V
EB
= 8V ;我
C
= 0
I
C
= 0.5 A; V
CE
= 1V
I
C
= 2A ; V
CE
= 1V
I
C
= 5A ; V
CE
=2V
I
C
= 0.1 A; V
CE
= 10V ; ˚F
TEST
= 10MHz时
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; ˚F
TEST
=为0.1MHz
兆赫
pF
ISC的网站: www.iscsemi.cn