H11G1 ， H11G2 ， H11G3
H11G1X
高压达林顿
输出光耦合
隔离器
认证
UL认证，文件号E91231
封装代码" JJ "
“X” SPECIFICATIONAPPROVALS
H11G1X VDE 0884中提供3引脚形式：
- STD
- 摹形
-
SMD批准CECC 00802
2.54
7.0
6.0
1.2
7.62
6.62
4.0
3.0
1
2
3
尺寸（mm）
6
5
4
7.62
描述
该H11G_系列光耦合隔离器
0.5
由一个红外发光二极管和一个
3.0
0.26
高电压NPN硅光电达林顿哪些
3.35
0.5
有一个整体的基极 - 发射极电阻器，以优化
开关速度和升高的温度下
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS
特性在标准6PIN双列直插式塑料
（ 25°C除非另有说明）
封装。
特点
选项： -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
高隔离电压（ 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
高电流传输比（ 1000 ％以上）
高BV
首席执行官
（ H11G1 - 100V分钟）
低集电极暗电流： -
100nA的最大。在80V V
CE
低输入电流1mA我
F
应用
调制解调器
复印机，传真机
数控机床
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
OPTION SM
表面贴装
选项G
13°
最大
储存温度
-40 ° C至+ 125°C
工作温度
-25°C至+ 100°C
引线焊接温度
（ 1/16英寸（ 1.6毫米）从案例10秒） 260℃
INPUTDIODE
正向电流
反向电压
功耗
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
H11G3,H11G2,H11G1
集电极 - 基极电压BV
CBO
H11G3,H11G2,H11G1
发射器 - baseVoltage BV
EBO
集电极电流
功耗
功耗
55,80,100V
55,80,100V
6V
150mA
300mW
50mA
6V
70mW
7.62
0.6
0.1
10.46
9.86
1.25
0.75
0.26
总功耗
10.16
350mW
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ，公园景观西路，
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28/11/08
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