H11G1X ， H11G2X ， H11G3X
H11G1 ， H11G2 ， H11G3
高压达林顿
输出光耦合
隔离器
认证
l
UL认证，文件号E91231
“X”规格认证
l
VDE 0884 2可用铅形式： -
- STD
-
摹形
2.54
7.0
6.0
1.2
7.62
6.62
4.0
3.0
1
2
3
尺寸
mm
6
5
4
7.62
描述
该H11G_系列光耦合隔离器
由一个红外发光二极管和
0.5
高电压NPN硅光电达林顿
3.0
其中有一个整体的基极 - 发射极电阻器，以
0.26
3.35
0.5
优化开关速度和提高的
在一个标准的6芯温度特性
绝对最大额定值
双列直插式塑料封装。
（ 25°C除非另有说明）
特点
l
选项： -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
l
高隔离电压（ 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
l
高电流传输比（ 1000 ％以上）
l
高BV
首席执行官
（ H11G1 - 100V分钟）
l
低集电极暗电流： -
100nA的最大。在80V V
CE
l
低输入电流1mA我
F
应用
l
调制解调器
l
复印机，传真机
l
数控机床
l
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
OPTION SM
表面贴装
选项G
13°
最大
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
工作温度
-55 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
（ 1/16英寸（ 1.6毫米）从案例10秒） 260℃
输入二极管
正向电流
最大正向电流
(1
µ
的脉搏， 300pps ）
反向电压
功耗
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
H11G3 ， H11G2 ， H11G1
集电极 - 基极电压BV
CBO
H11G3 ， H11G2 ， H11G1
发射器 - baseVoltage BV
ECO
功耗
功耗
55, 80, 100V
55, 80, 100V
6V
200mW
60mA
3A
3V
100mW
7.62
0.6
0.1
10.46
9.86
1.25
0.75
0.26
总功耗
10.16
260mW
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