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IS61C1024AL-12JI 参数 Datasheet PDF下载

IS61C1024AL-12JI图片预览
型号: IS61C1024AL-12JI
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内容描述: 128K ×8高速CMOS静态RAM [128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 17 页 / 106 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS61C1024AL, IS64C1024AL
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
V
DD
for Data Retention
Data Retention Current
Test Condition
See Data Retention Waveform
V
DD
= 2.0V,
CE1
V
DD
– 0.2V
or CE2
0.2V
V
IN
V
DD
– 0.2V, or V
IN
V
SS
+ 0.2V
See Data Retention Waveform
See Data Retention Waveform
Com.
Ind.
Auto.
Min.
2.0
0
200
Typ.
(1)
ISSI
Max.
5.5
400
450
500
Unit
V
µA
®
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
Note:
Data Retention Setup Time
Recovery Time
ns
ns
t
RC
1. Typical Values are measured at V
DD
= 5V, T
A
= 25
o
C and not 100% tested.
DATA RETENTION WAVEFORM (CE1 Controlled)
CE1
t
SDR
VDD
4.5V
Data Retention Mode
t
RDR
2.2V
V
DR
CE1
VDD - 0.2V
CE1
GND
DATA RETENTION WAVEFORM (CE2 Controlled)
Data Retention Mode
VDD
4.5V
CE2
2.2V
V
DR
0.4V
GND
CE2
0.2V
t
SDR
t
RDR
10
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
01/24/05