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IS61LV12816L-10BLI 参数 Datasheet PDF下载

IS61LV12816L-10BLI图片预览
型号: IS61LV12816L-10BLI
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内容描述: 128K ×16高速CMOS静态RAM与3.3V电源 [128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY]
分类和应用:
文件页数/大小: 16 页 / 112 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS61LV12816L
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
V
DD
for Data Retention
Data Retention Current
Data Retention Setup Time
Recovery Time
Test Condition
See Data Retention Waveform
V
DD
= 2.0V,
CE
V
DD
– 0.2V
See Data Retention Waveform
See Data Retention Waveform
O
ISSI
Options
Com.
Ind.
Min.
2.0
0
Typ.
(1)
0.7
Max.
3.6
3
4
Unit
V
mA
ns
ns
®
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
t
RC
Note 1:
Typical values are measured at V
DD
= 3.3V, T
A
= 25 C. Not 100% tested.
DATA RETENTION WAVEFORM
(CE Controlled)
t
SDR
V
DD
Data Retention Mode
t
RDR
V
DR
CE
V
DD
- 0.2V
CE
GND
12
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. F
10/27/05