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    IS62WV1288BLL-55HI 参数 Datasheet PDF下载

    IS62WV1288BLL-55HI图片预览
    型号： IS62WV1288BLL-55HI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K ×8低电压，超低功耗CMOS静态RAM [128K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 15 页 / 110 K
    品牌： ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
     浏览型号IS62WV1288BLL-55HI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS62WV1288BLL-55HI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS62WV1288BLL-55HI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS62WV1288BLL-55HI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS62WV1288BLL-55HI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IS62WV1288BLL-55HI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IS62WV1288BLL-55HI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IS62WV1288BLL-55HI的Datasheet PDF文件第11页  
    IS62WV1288ALL,
    AC WAVEFORMS
    IS62WV1288BLL
    ISSI
    ®
    READ CYCLE NO. 2
    (1,3)
    (CS1, CS2,
    OE
    Controlled)
    t
    RC
    ADDRESS
    t
    AA
    t
    OHA
    OE
    t
    DOE
    t
    HZOE
    CS1
    t
    ACS1/
    t
    ACS2
    t
    LZOE
    CS2
    t
    LZCS1/
    t
    LZCS2
    HIGH-Z
    t
    HZCS
    DATA VALID
    DOUT
    Notes:
    1.
    WE
    is HIGH for a Read Cycle.
    2. The device is continuously selected.
    OE, CS1=
    V
    IL
    . CS2=WE=V
    IH
    .
    3. Address is valid prior to or coincident with
    CS1
    LOW and CS2 HIGH transition.
    Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
    1-800-379-4774
    Rev. C
    06/20/05
    7

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