欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IS27HC010-45T 参数 Datasheet PDF下载

IS27HC010-45T图片预览
型号: IS27HC010-45T
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 131,072 ×8高速CMOS EPROM [131,072 x 8 HIGH-SPEED CMOS EPROM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
文件页数/大小: 11 页 / 88 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
 浏览型号IS27HC010-45T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IS27HC010-45T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS27HC010-45T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS27HC010-45T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS27HC010-45T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS27HC010-45T的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IS27HC010-45T的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IS27HC010-45T的Datasheet PDF文件第9页  
IS27HC010
输出或- Tieing
为了适应多种存储连接,一两
行控制功能提供了允许:
1.低内存功耗,
2.保证输出的总线争用会不会
发生。
所以建议
CE
进行解码,并用作
主要设备选择功能,同时
OE
做出一个
数组和反对中所有设备共同连接
,连接到该读线从系统控制总线。这
确保所有被选择的存储设备都在其
低功耗待机模式,而输出引脚只
有源当数据从一个特定的存储器所需的
装置。
ISSI
®
系统应用
在工作和待机状态之间的切换,
瞬态电流峰值上产生的上升和
芯片的下降沿启动。这些大小
瞬态电流的峰值依赖于输出电容
该装置的tance装载在最低限度,一个0.1
µF
陶瓷的
电容(高频,低固有电感)应
V的每个设备上可以使用
CC
和GND到迷你
迈兹瞬态效应。此外,克服了电压
滴所引起的印刷电路的电感效应
电路板走线的EPROM阵列, 4.7
µF
大容量电解
电容应V之间使用
CC
和GND为每
8设备。电容器的位置应
接近的地方,将电源连接到该阵列。
真值表
(1,2)
模式
输出禁用
待机
节目
程序校验
禁止程序
自动选择
(3,5)
制造商代码
器件代码
CE
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
X
V
IL
V
IL
PGM
X
X
X
V
IL
V
IH
X
X
X
A0
X
X
X
X
X
X
V
IL
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
V
H
V
H
V
PP
V
CC
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
V
CC
输出
D
OUT
高阻
高阻
D
IN
D
OUT
高阻
D5H
0EH
注意事项:
1. V
H
= 12.0V
±
0.5V.
2. X =要么V
IH
或V
IL
.
3, A1 -A8 = A10 - A16 = V
IL
.
4.请参阅DC编程特性V
PP
在编程过程中的电压。
5. IS27HC010可以在程序的其他IS27C010或IS27010设备使用相同的写入算法。
逻辑符号
17
A0-A16
8
DQ0-DQ7
CE ( E)
铂族金属(P)的
OE ( G)
4
集成的芯片解决方案,公司
EP009-1F
07/18/97