IS41C16105
IS41LV16105
1M ×16 （ 16兆位）动态RAM
与快速页面模式
特点
?? TTL兼容的输入和输出;三态I / O
•刷新间隔：
- 1024次/ 16毫秒
•刷新模式：
—
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
?? JEDEC标准引脚
•单电源供电：
- 5V ±10 ％ （ IS41C16105 ）
- 3.3V±10 ％ （ IS41LV16105 ）
•字节通过两个写和字节读取操作
CAS
•扩展级温度范围-30
o
C至85
o
C
• INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
ISSI
描述
®
2000年2月
该
ISSI
IS41C16105和IS41LV16105是1,048,576 X
16位高性能CMOS动态随机存取Memo-
里斯。快速页模式允许在一个单一的1024随机访问
行访问周期时间尽可能短，每16位字为20 ns 。该
字节写入控制，上下字节，使得IS41C16105
非常适合于16-， 32位宽的数据总线系统。
这些特性使得IS41C16105和IS41LV16105理想
适合于高带宽图形，数字信号处理，高
高性能计算系统和外设应用。
该IS41C16105和IS41LV16105被封装在一个
42引脚400密耳SOJ和400密耳44-（ 50- ）引脚TSOP （ II型） 。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。快速页模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
销刀豆网络gurations
44 （50） -pin TSOP （类型II ）
42引脚SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A9
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
地
无连接
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REV 。一
03/03/00
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
