IS41C16128
IS41C16128
128K ×16 （ 2兆位）动态RAM
与EDO页模式
描述
ISSI
ISSI
®
®
1998年8月
特点
•扩展数据输出（ EDO ）页面模式
访问周期
• TTL兼容的输入和输出
•刷新间隔： 512次/ 8毫秒
•刷新模式：
RAS
- 只，
CAS
-before-
RAS
（CBR） ，及隐藏
?? JEDEC标准引脚
•单+ 5V
±
10 ％的电力供应
•字节通过两个写和字节读取操作
CAS
•提供40引脚SOJ和TSOP （II型）
•工业应用温度
该
ISSI
IS41C16128是131,072 ×16位高性能
CMOS动态随机存取存储器。该IS41C16128
提供了所谓的EDO页面模式的加速周期访问。
EDO页面模式允许在256个随机访问
用短12 ns的每个访问周期时间的单排16位
位字。上下字节的字节写入控制，
使得IS41C16128适合用于16-， 32位宽的数据
总线系统。
这些特性使得IS41C16128非常适合于
高频带宽度的图形，数字信号处理，
高性能计算系统和外围
应用程序。
该IS41C16128封装在一个40引脚400密耳SOJ和
TSOP （II型） 。
功能框图
OE
WE
LCAS
UCAS
CAS
时钟
发电机
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
OE
CAS
WE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
行解码器
RAS
列解码器
感测放大器
I/O0-I/O15
存储阵列
131,072 x 16
地址
缓冲器
A0-A8
本文件包含的初步数据。 ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们
承担可能出现在本出版物中的任何错误不承担任何责任。 ©版权所有1998年，集成硅解决方案公司
集成的芯片解决方案，公司
初步
DR002-1D
08/20/98
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
