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IS41C16256-60KI 参数 Datasheet PDF下载

IS41C16256-60KI图片预览
型号: IS41C16256-60KI
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内容描述: 256K ×16 ( 4兆位)动态RAM与EDO页模式 [256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 19 页 / 154 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS41C16256
IS41LV16256
256K ×16 ( 4兆位)动态RAM
与EDO页模式
特点
• TTL兼容的输入和输出
•刷新间隔: 512次/ 8毫秒
•刷新模式:
RAS -只, CAS先于RAS
(CBR) ,及隐藏
?? JEDEC标准引脚
•单电源供电
5V ±10 % ( IS41C16256 )
3.3V±10 % ( IS41LV16256 )
•字节通过两个写和字节读取操作
CAS
•扩展级温度范围-30
o
C至85
o
C
• INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
ISSI
2000年6月
®
描述
ISSI
IS41C16256和IS41LV16256是262,144 ×16位
高性能CMOS动态随机存取存储器。两
产品提供加速周期存取EDO页面模式。 EDO
页模式允许用一个行内512随机访问
存取周期时间尽可能短,每16位字为10ns 。字节写
上下字节的控制,使得IS41C16256和
IS41LV16256适合在16位和32位宽的数据总线系统。
这些特性使得IS41C16256和IS41LV1626理想
适用于高频段宽度的图形,数字信号处理,
高性能计算系统和外围设备的应用程序。
该IS41C16256和
IS41LV16256
封装采用40引脚
400万SOJ和TSOP ( II型) 。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间(吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间(吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间(t
AA
)
分钟。 EDO页面模式周期时间(t
PC
)
分钟。读/写周期时间(T
RC
)
-35
35
10
18
12
60
-50
50
14
25
20
90
-60
60
15
30
25
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
销刀豆网络gurations
40引脚TSOP ( II型)
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
40引脚SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A8
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
无连接
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
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牧师Ĵ
06/29/00
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