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IS41C16256-60KI 参数 Datasheet PDF下载

IS41C16256-60KI图片预览
型号: IS41C16256-60KI
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内容描述: 256K ×16 ( 4兆位)动态RAM与EDO页模式 [256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 19 页 / 154 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS41C16256
IS41LV16256
AC特性
(1,2,3,4,5,6)
(推荐工作条件,除非另有说明。 )
-35
符号
t
RC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RAS
t
RP
t
CAS
t
CP
t
CSH
t
RCD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
拉德
t
拉尔
t
RPC
t
RSH
t
CLZ
t
CRP
t
OD
t
OE
/ t
OEA
t
OEHC
t
OEP
t
OES
t
RCS
t
RRH
t
RCH
t
WCH
t
WCR
参数
随机读或写周期时间
访问时间从
RAS
(6, 7)
访问时间从
CAS
(6, 8, 15)
从列地址的访问时间
(6)
RAS
脉冲宽度
RAS
预充电时间
CAS
脉冲宽度
(26)
CAS
预充电时间
(9, 25)
CAS
保持时间
(21)
ISSI
-50
分钟。
90
50
50
30
8
8
50
19
0
8
0
8
40
14
25
0
14
3
5
3
0
10
10
5
0
0
0
8
40
最大
14
25
10K
10K
36
25
12
15
10
18
10K
10K
28
20
12
10
-60
分钟。马克斯。
110
60
60
40
10
10
60
20
0
10
0
10
40
15
30
0
15
3
5
3
10
10
5
0
0
0
10
50
ns
15
30
10K
10K
45
30
12
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
分钟。马克斯。
60
35
35
20
6
5
35
11
0
6
0
6
30
10
18
0
8
3
5
3
0
10
10
5
0
0
0
5
30
®
单位
ns
RAS
to
CAS
延迟时间
(10, 20)
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
(20)
列地址保持时间
(20)
列地址保持时间
(参考
RAS )
RAS
到列地址的延迟时间
(11)
列地址为
RAS
交货时间
RAS
to
CAS
预充电时间
RAS
保持时间
(27)
CAS
到输出低-Z
(15, 29)
CAS
to
RAS
预充电时间
(21)
输出禁止时间
(19, 28, 29)
输出使能时间
(15, 16)
OE
从高保持时间
CAS
OE
高脉冲宽度
OE
CAS
高建立时间
READ命令设置时间
(17, 20)
读命令保持时间
(参考
RAS )
(12)
读命令保持时间
(参考
CAS )
(12, 17, 21)
写命令保持时间
(17, 27)
写命令保持时间
(参考
RAS )
(17)
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
牧师Ĵ
06/29/00
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