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IS41LV16100-60T 参数 Datasheet PDF下载

IS41LV16100-60T图片预览
型号: IS41LV16100-60T
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内容描述: 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 [1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 123 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS41C16100
IS41LV16100
1M ×16 ( 16兆位)动态RAM
与EDO页模式
特点
?? TTL兼容的输入和输出;三态I / O
•刷新间隔:
- 自动刷新模式:
1024次/ 16毫秒
RAS -只, CAS先于RAS
(CBR) ,及隐藏
•自刷新模式
- 1024次/ 128ms的
?? JEDEC标准引脚
•单电源供电:
- 5V ±10 % ( IS41C16100 )
- 3.3V±10 % ( IS41LV16100 )
•字节通过两个写和字节读取操作
CAS
• INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
ISSI
2003年4月
®
描述
ISSI
IS41C16100和IS41LV16100是1048576 ×16位
高性能CMOS动态随机存取存储器。
这些器件提供所谓的EDO页面加速周期访问
模式。 EDO页面模式允许在一个1024的随机访问
与存取周期时间尽可能短,每16位字为20 ns单列。
上下字节的字节写入控制,使得
IS41C16100适合在16位和32位宽的数据总线系统。
这些特性使得IS41C16100and IS41LV16100非常适合
对高带宽图形,数字信号处理,高
高性能计算系统和外设应用。
该IS41C16100和IS41LV16100封装在一个42引脚400-
万SOJ和400密耳50-( 44- )引脚TSOP ( II型) 。无铅400-
MIL 50-( 44- )选项可用了。
关键时序参数
销刀豆网络gurations
50 (44) -pin TSOP (类型II )
42引脚SOJ
参数
马克斯。
RAS
访问时间(吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间(吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间(t
AA
)
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
分钟。 EDO页面模式周期时间(t
PC
)
分钟。读/写周期时间(T
RC
)
引脚说明
A0-A9
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
无连接
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我牧师
04/16/03
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