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IS41LV16100B-50TL 参数 Datasheet PDF下载

IS41LV16100B-50TL图片预览
型号: IS41LV16100B-50TL
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内容描述: 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 [1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE]
分类和应用:
文件页数/大小: 22 页 / 143 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS41LV16100B
1M ×16 ( 16兆位)动态RAM
与EDO页模式
特点
?? TTL兼容的输入和输出;三态I / O
•刷新间隔:
- 自动刷新模式:
1024次/ 16毫秒
RAS -只, CAS先于RAS
(CBR) ,及隐藏
?? JEDEC标准引脚
•单电源供电: 3.3V ± 10 %
•字节通过两个写和字节读取操作
CAS
•工业级温度范围: -40
o
C至+ 85
o
C
•无铅可
ISSI
2005年4月
®
描述
ISSI
IS41LV16100B为1,048,576 ×16位高性
曼斯CMOS动态随机存取存储器。这些
器件提供所谓的EDO加速周期访问
页面模式。 EDO页面模式让1024随机AC-
与存取周期时间尽可能短的单列内正如事实
如每16位字为20 ns 。
这些特性使得IS41LV16100B非常适合于
高带宽图形,数字信号处理,高
高性能计算系统和外围
应用程序。
该IS41LV16100B封装在一个42引脚400密耳SOJ
400密耳50-( 44- )引脚TSOP ( II型) 。
关键时序参数
参数
-50
50
14
25
30
85
-60
60
15
30
40
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
销刀豆网络gurations
50 (44) -pin TSOP (类型II )
42引脚SOJ
马克斯。
RAS
访问时间(吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间(吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间(t
AA
)
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
VDD
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
VDD
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
分钟。 EDO页面模式周期时间(t
PC
)
分钟。读/写周期时间(T
RC
)
引脚说明
A0-A9
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
V
DD
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
无连接
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集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本B
04/14/05
1