欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IS41LV16100B-50TL 参数 Datasheet PDF下载

IS41LV16100B-50TL图片预览
型号: IS41LV16100B-50TL
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 [1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE]
分类和应用:
文件页数/大小: 22 页 / 143 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
 浏览型号IS41LV16100B-50TL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS41LV16100B-50TL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS41LV16100B-50TL的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IS41LV16100B-50TL的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IS41LV16100B-50TL的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IS41LV16100B-50TL的Datasheet PDF文件第11页浏览型号IS41LV16100B-50TL的Datasheet PDF文件第12页浏览型号IS41LV16100B-50TL的Datasheet PDF文件第13页  
IS41LV16100B
AC测试条件
输出负载:一个TTL负载和50 pF的(V
DD
= 3.3V ±10%)
输入时序参考水平:
输出时序参考水平:
V
IH
= 2.0V, V
IL
= 0.8V (V
DD
= 3.3V ±10%)
V
OH
= 2.0V, V
OL
= 0.8V
ISSI
®
注意事项:
1. 200微秒的初始暂停,需要跟八个电后
RAS
刷新前正确的设备周期( RAS - Only或CBR )
操作是有保证的。八
RAS
周期唤醒应反复随时吨
REF
刷新的要求超出。
2. V
IH
(MIN)和V
IL
(MAX),是参考电平,用于测量输入信号的定时。过渡时间,V之间进行测量
IH
V
IL
(或V之间
IL
和V
IH
),并假定为1纳秒所有输入。
3.除了满足升学率规范,所有输入信号必须V之间的过境
IH
和V
IL
(或V之间
IL
和V
IH
)在一
单调的方式。
4.如果
CAS
RAS
= V
IH
,数据输出为高阻。
5.如果
CAS
= V
IL
,数据输出可以包含从最后一个有效读周期的数据。
6.与测量相当于一个TTL门和50 pF的负载。
7.假设那件T
RCD
t
RCD
(MAX)。如果T
RCD
大于该表中所示的最大推荐的值,叔
RAC
将增加
由量吨
RCD
超出显示的值。
8.假设那件T
RCD
t
RCD
(最大值)。
9.如果
CAS
为低电平时的下降沿
RAS ,
数据输出将保持来自前一个周期。要开始一个新的周期,并清除数据
输出缓冲器,
CAS
RAS
必须脉冲在t
CP
.
10.操作用t
RCD
( MAX)限制确保吨
RAC
(MAX),可以得到满足。吨
RCD
(MAX),被指定为唯一的一个参考点;如果T
RCD
is
大于指定吨
RCD
( MAX )的限制,访问时间是专门为t控制
CAC
.
内的11吨操作
拉德
( MAX)限制确保吨
RCD
(MAX),可以得到满足。吨
拉德
(MAX),被指定为唯一的一个参考点;如果T
拉德
is
大于指定吨
拉德
( MAX )的限制,访问时间是专门为t控制
AA
.
12.要么吨
RCH
或T
RRH
必须满足一个读周期。
13. t
关闭
(MAX )定义为在所述输出达到开路状态的时间;它不是一个参考到V
OH
或V
OL
.
14. t
WCS
, t
RWD
, t
AWD
和T
CWD
在后写入限制性操作参数,仅读 - 修改 - 写周期。如果T
WCS
t
WCS
(MIN),该循环是一个早期写入周期和输出的数据将保持开路,在整个周期。如果T
RWD
t
RWD
(分钟) ,T
AWD
t
AWD
(MIN)和叔
CWD
t
CWD
(MIN),该循环是一个READ -WRITE周期和输出的数据将包含从读出的数据
所选择的小区。如果上述两个条件都不满足,对I / O(在存取时间和直到所述状态
CAS
RAS
or
OE
回去
到V
IH
)是不确定的。
OE
高高的,
WE
拍摄后低
CAS
变为低电平结果后写入( OE控制)周期。
15.输出参数( I / O)是参照相应的
CAS
输入, I / O0 -I / O7由
LCAS
和I / O8 -I / O15通过
UCAS 。
16.在读周期,如果
OE
为低电平时,采取前高
CAS
变为高电平, I / O进入开放。如果
OE
被永久接为低电平,一晚
写或读 - 修改 - 写是不可能的。
17. Write指令被定义为
WE
变低。
18后写和读 - 修改 - 写周期必须拥有吨
OD
和T
OEH
为了确保满足(在写周期OE为高电平)
该输出缓冲器将在写入周期开放。在I / O的提供,如果先前写入的数据
CAS
仍然很低,
OE
被带回LOW吨后
OEH
得到满足。
19. I / O是在开放的过程中读周期,一旦吨
OD
或T
关闭
发生。
20.第一
→ CAS
缘来变为低电平。
21.最后
→ CAS
边缘变为高电平。
22.这些参数是参照
CAS
在早期的写周期领先优势和
WE
前缘后写入或READ-
修改 - 写周期。
23.最后落
→ CAS
边第一个上升
→ CAS
边缘。
24.最近崛起
→ CAS
边缘到下一个周期的最后崛起
→ CAS
边缘。
25.最近崛起
→ CAS
边缘到第一个下降沿
→ CAS
边缘。
26.每个
→ CAS
必须满足最小脉冲宽度。
27.最后
→ CAS
变低。
28. I / O的控制,而不管
UCAS
LCAS 。
29. 3 ns最小为设计保证参数。
30.允许片上刷新和地址计数器。
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本B
04/13/05
9