IS41LV16256B
256K ×16 （ 4兆位）动态RAM
与EDO页模式
特点
• TTL兼容的输入和输出
•刷新间隔： 512次/ 8毫秒
•刷新模式：
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，
和隐藏
?? JEDEC标准引脚
•单电源供电： 3.3V ± 10 ％
•字节通过两个写和字节读取操作
CAS
•无铅可
ISSI
2005年4月
®
描述
该
ISSI
IS41LV16256B是262,144 ×16位高性
曼斯的CMOS动态随机存取存储器。双方的精良
UCTS提供加速周期存取EDO页面模式。 EDO
页模式允许在一行中512随机访问
与存取周期时间尽可能短，每16位字为10ns 。该
上下字节的字节写入控制，使得
IS41LV16256B非常适合使用在16和32位宽的数据总线
系统。
这些特性使得IS41LV16256B非常适合于
高频带宽度的图形，数字信号处理，高
高性能计算系统和外设应用。
该IS41LV16256B封装采用40引脚400密耳SOJ和
TSOP （II型） 。
-35
35
11
18
14
60
-60
60
15
30
25
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。 EDO页面模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
销刀豆网络gurations
40引脚TSOP （ II型）
VDD
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
40引脚SOJ
VDD
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A8
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
V
DD
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
地
无连接
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VDD
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VDD
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版本B
04/28/05
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
